分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.19608 | 630097 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.19608 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.49261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.49261 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥30.63747 | 97 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.63747 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.17728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.17728 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥158.04008 | 553 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥158.04008 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 235W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.36656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 310mW (Ta), 455mW (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Tj) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Ta) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.80794 | 9885 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.80794 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥50.48301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.48301 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 209A(Tc) 最大功耗: 470W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥49.17929 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.17929 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 94A(Tc) 最大功耗: 580W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥51.93159 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.93159 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.16730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.16730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,483.12000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN | ¥3.18688 | 2297 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | ¥2.60744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.96363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.79873 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.79873 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 20V SC75 | ¥0.50700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥370.11219 | 添加到BOM 立即询价 |