分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、110W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 2494 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.10821 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.10821 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 384毫安 (Ta) 最大功耗: 120mW(Ta) 供应商设备包装: 3-XLLGA(0.62-0.62) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.46892 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.46892 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.9A(Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥53.01803 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.01803 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥64.01275 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.01275 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 163W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.28780 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.28780 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Ta), 14A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥96.62029 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.62029 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC | ¥67.01131 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.01131 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,498.80050 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 2W (Ta), 183W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.54710 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.54710 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 137W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.28732 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥793.09755 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 250mW(Ta) 供应商设备包装: SC-59-3/CP3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.57943 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,738.29600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH SMD | ¥6.95318 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.95318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥129.34371 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.34371 | 添加到BOM 立即询价 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A | ¥0.27120 | 85350 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.27120 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@4.5V,3.5A | ¥0.32521 | 85 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32521 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.6A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,5.6A | ¥0.22815 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22815 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.4A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4.4A | ¥0.23105 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23105 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3A | ¥0.14848 | 170 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14848 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.2A 功率(Pd):700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,1.5A | ¥0.19266 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19266 | 立即购买 加入购物车 |