分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥25.49501 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.49501 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥3.95462 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.95462 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥15.49981 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥15.02178 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.02178 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 40V 50A TCPT3 | ¥6.59104 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 (Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.33077 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.33077 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: 6-WEMT 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥16.29653 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.29653 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥36.88085 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.88085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: EMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥14.48580 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.48580 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥5.02657 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.02657 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: 6-WEMT 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.86531 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.86531 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥104.03702 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.03702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 | ¥8.66251 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.66251 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 | ¥58.91375 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.91375 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥13.39937 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.39937 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥79.15041 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.15041 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥50.29470 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.29470 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tj) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.69052 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.69052 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 324W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.69148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 293W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥197.39800 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥197.39800 | 添加到BOM 立即询价 |