分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、124A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.87116 | 3896 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.87116 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 216W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.87116 | 1418 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.56388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tj) 最大功耗: 107W(Ta) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥27.01602 | 122844 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.29738 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥27.01602 | 1021 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.29738 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.29653 | 6785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥46.71671 | 183 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,195.68514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.01602 | 925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.01602 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、142W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.29653 | 3321 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥46.78913 | 3377 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,199.08930 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.29653 | 1583 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥47.29614 | 10305 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.29614 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.36895 | 42500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.07088 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.16088 | 237 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MAX8585 ORING MOSFET CONTROLLER | ¥16.36895 | 15065 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.07088 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | ¥47.29614 | 172 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.62230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Ta)、30A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 12410 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.36895 | 1871 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.07088 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 378W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥47.51342 | 450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.51342 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 41W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 12359 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 379W (Tc) 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥27.59545 | 568 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.59545 | 添加到BOM 立即询价 |