品牌介绍
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率，并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件：每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪，在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 710mW (Ta), 8.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.49560 | 8435 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.49560 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.44061 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.44061 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.3W（Ta），15W（Tc） 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.40512 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.40512 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 272W（Tc） 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.83392 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.83392 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.44568 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.44568 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 360毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta), 1.14W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TA） | ¥0.18035 | 29285 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18035 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 131W（Tc） 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.49811 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.49811 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 480mW (Ta), 1.2W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.91792 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.91792 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 190毫安（Ta），300毫安（Tc） 最大功耗: 265mW（Ta），1.33W（Tc） 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.17455 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17455 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.45775 | 13 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.45775 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.32762 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,982.87200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 478mW (Ta), 8.36W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81700 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,450.99700 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 460mW (Ta), 6.94W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.29056 | 9755 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,871.68600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 490mW (Ta), 4.15W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.86753 | 30485 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.86753 | 立即购买 加入购物车 | |
 | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥3.12436 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.12436 | 立即购买 加入购物车 | |
| | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥3.81493 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.81493 | 立即购买 加入购物车 |