品牌介绍
SemiQ设计、开发和制造碳化硅（SiC）功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式，也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识，包括子系统设计和半定制模块。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 3A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥2.87674 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.87674 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 5A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥2.66539 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.66539 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 5A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-252-2L (DPAK) 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥2.66539 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.66539 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1700伏 整流平均值 (Io): 5A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥4.43266 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.43265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 6A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥4.79480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.79480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 6A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-252-2L (DPAK) 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥2.69436 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.69436 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 10A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥4.05602 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.05602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 10A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥16.54278 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.54278 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 10A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-252-2L (DPAK) 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥9.32886 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.32886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1700伏 整流平均值 (Io): 10A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥11.54518 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.54518 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 20A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥13.84843 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.84843 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1700伏 整流平均值 (Io): 20A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥24.36512 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.36512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 30A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥221.35751 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥221.35751 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥2.46259 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 20A 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥1.97007 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.97007 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 8A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 | ¥11.93630 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.93630 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 188W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥90.10168 | 16 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.10168 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1250伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2500瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,678.71414 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,678.71414 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1630 W 供应商设备包装: Module | ¥2,338.51512 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,338.51512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1595 W 供应商设备包装: D3 | ¥661.76567 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,294.12533 | 添加到BOM 立即询价 |