品牌介绍
SemiQ设计、开发和制造碳化硅（SiC）功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式，也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识，包括子系统设计和半定制模块。
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 1710 W 供应商设备包装: Module | ¥413.41025 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,134.10246 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 1130 A 最大功率: 3060瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,197.46866 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,789.87463 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1035瓦 供应商设备包装: Module | ¥768.63466 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,074.53862 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 170 A 最大功率: 650 W 供应商设备包装: Module | ¥846.20611 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,384.82446 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 335 A 供应商设备包装: Module | ¥1,347.17940 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,026.66440 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 640 W 供应商设备包装: Module | ¥867.54247 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,205.25480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 800 W 供应商设备包装: Module | ¥867.54247 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,205.25480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 710 W 供应商设备包装: Module | ¥969.92086 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,909.76257 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1630 W 供应商设备包装: D3 | ¥1,000.58853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,002.35411 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 285 A 最大功率: 1087瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,094.56516 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,378.26062 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 285 A 最大功率: 1087瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,118.32788 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,354.98364 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3 | ¥614.27940 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,914.23522 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 231 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.05653 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.05653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 212 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.34242 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.34242 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥62.12960 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.12960 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.18442 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.18442 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥114.24951 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥114.24951 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥58.33432 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.33432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.49501 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.49501 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.92567 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.92567 | 添加到BOM 立即询价 |