品牌介绍
SemiQ设计、开发和制造碳化硅（SiC）功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式，也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识，包括子系统设计和半定制模块。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.37960 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.37960 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 455 W 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.81084 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.81083 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥147.55236 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥147.55236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 463 W 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.55592 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.55592 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.68236 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.68236 | 添加到BOM 立即询价 |