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品牌介绍

Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。

英文全称: Microchip Technology

中文全称: 微芯

英文简称: Microchip

品牌地址: http://www.microchip.com/

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品牌型号
描述
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操作
APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 543 W 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,229.42433

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,229.42433

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APT75GN60SDQ2G
APT75GN60SDQ2G
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 155 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥71.12528

351

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.12528

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APT102GA60B2
APT102GA60B2
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 183 A 最大功率: 780 W 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥231.58449

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥231.58449

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APT20GN60BDQ2G
APT20GN60BDQ2G
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.64428

15

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.64428

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APT75GN60BDQ2G
APT75GN60BDQ2G
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 155 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥67.50383

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.50383

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APT70GR65B
APT70GR65B
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 134 A 最大功率: 595 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.75872

78

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.75872

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APT36GA60SD15
APT36GA60SD15
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥52.72831

70

5-7 工作日

- +

合计: ¥52.72831

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APT36GA60B
APT36GA60B
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.94119

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.94119

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APT43GA90B
APT43GA90B
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 337 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.00882

15

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.00882

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APT25GN120BG
APT25GN120BG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 67 A 最大功率: 272 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.05084

8

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.05084

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APT15GT60BRDQ1G
APT15GT60BRDQ1G
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 184 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.28933

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,754.71936

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APT20GT60BRG
APT20GT60BRG
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 43 A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.78680

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,934.41576

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APT30GN60BDQ2G
APT30GN60BDQ2G
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 203 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.13627

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,976.35216

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APT15GP60BG
APT15GP60BG
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 56 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.35356

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,668.89105

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APT35GA90B
APT35GA90B
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.30914

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,884.00518

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APT50GN60BG
APT50GN60BG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 107 A 最大功率: 366 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.52643

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,907.90675

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APT15GT120BRDQ1G
APT15GT120BRDQ1G
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.28693

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,991.56219

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APT15GP60BDQ1G
APT15GP60BDQ1G
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 56 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.13387

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,813.38690

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APT54GA60B
APT54GA60B
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.47961

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,823.16481

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APT15GP90BDQ1G
APT15GP90BDQ1G
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 43 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.80554

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,852.49851

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