品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Tc） 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 70W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.23810 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.23810 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 115W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.18208 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 3W (Ta), 78W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.75907 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.75907 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.97880 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥177.59591 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥177.59591 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 450W (Tc) 供应商设备包装: 同位素 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥201.13533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥201.13533 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 318W (Tc) 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥253.71879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥253.71879 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 88A (Tc) 最大功耗: 494W (Tc) 供应商设备包装: ISOTOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥306.08495 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥306.08495 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.39457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.39457 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.18409 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.18409 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.39741 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.39741 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.90157 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.90157 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.33614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.33614 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.33614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.33614 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.69829 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.69829 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.77072 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.77072 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 210W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.51695 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17.51695 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 237W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.29173 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.29173 | 添加到BOM 立即询价 |