品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥43.81955 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.81955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥99.37259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥99.37259 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 | ¥139.86040 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥139.86040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.79873 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.79873 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥145.36500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.36500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.66788 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.66788 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.11166 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.11166 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 160W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.17488 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.17488 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.16327 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.16327 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥28.46460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.46460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.75431 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.75431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 160W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥48.74472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.74472 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥29.40617 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.40617 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: H2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥160.14052 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥160.14052 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥50.26573 | 23 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.26573 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.35696 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.35696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥128.85119 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.85119 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥134.35580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥134.35580 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥30.78233 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.78233 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥30.78233 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.78233 | 添加到BOM 立即询价 |