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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

久芯自营
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STD15N65M5
STD15N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥34.83835

88

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.83835

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STF5N80K5
STF5N80K5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.91407

95

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.91407

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STH185N10F3-2
STH185N10F3-2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 315W (Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.73551

31

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.73551

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STD5NM50AG
STD5NM50AG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.18208

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.18208

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STF11N60DM2
STF11N60DM2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.32694

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.32694

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STF12N65M2
STF12N65M2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.39937

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.39937

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STF140N6F7
STF140N6F7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥4.00098

90

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.00098

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STD12N50M2
STD12N50M2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.80011

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,500.28500

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STL50N6F7
STL50N6F7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.53262

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.53262

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STV160NF03LT4
STV160NF03LT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 210W(Tc) 供应商设备包装: 10 PowerSO 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥43.09526

87

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.09526

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STH240N75F3-2
STH240N75F3-2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.12327

93

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.12327

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STP52P3LLH6
STP52P3LLH6
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220

¥11.73350

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.73350

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STB36NM60ND
STB36NM60ND
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥46.86156

31

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.86156

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STO47N60M6
STO47N60M6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 255W(Tc) 供应商设备包装: TOLL (HV) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥48.16529

67

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.16529

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STL105N4LF7AG
STL105N4LF7AG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 94W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.45779

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STD2HNK60Z
STD2HNK60Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.05363

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.05363

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STB27NM60ND
STB27NM60ND
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥51.71431

85

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.71431

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STL260N4F7
STL260N4F7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 188W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.53502

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.53502

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STD95P3LLH6AG
STD95P3LLH6AG
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

¥13.61665

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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STD18NF03L
STD18NF03L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.15647

0

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合计: ¥6.15647

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