品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH 650V DPAK | ¥4.01546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,038.66000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.92037 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.92037 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.41337 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.41337 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Tc） 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.79192 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.79192 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 54A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.06737 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,668.42000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 4.3W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.93678 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.93678 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.57568 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,939.18750 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.32607 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,978.20100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.08164 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08164 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A（Tc） 最大功耗: 127W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.06523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.06523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc） 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.15407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.15407 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.68724 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,718.10750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.36786 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.36786 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tc） 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.77461 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.77461 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.09912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,247.79750 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 650V DPAK | ¥5.38691 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,773.81400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.57632 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.57632 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.09912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,297.35700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.20692 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,017.30250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.51621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.51621 | 添加到BOM 立即询价 |