品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.74750 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.03397 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,033.97000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.08974 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,089.74000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.00921 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.00921 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83294 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,498.82900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 169W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.13378 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,680.26620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.17728 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.17728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.76151 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.76151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 33伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.77527 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,775.27200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.77527 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41,325.81600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.77527 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,775.27200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT | ¥6.21839 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,655.17600 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 108A（Tc） 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.21076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,632.28000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 650V DPAK | ¥5.21453 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,036.31500 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.21453 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,643.57800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: H2PAK-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.88456 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,884.55800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.86429 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,034.20112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.30205 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,906.14100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 | ¥23.68428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,210.56980 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.90637 | 12 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.90637 | 添加到BOM 立即询价 |