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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

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描述
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STGB30H60DLLFBAG
STGB30H60DLLFBAG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.87677

0

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合计: ¥14,876.77200

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STGFW80V60F
STGFW80V60F
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 79 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.57185

193

5-7 工作日

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合计: ¥46.57185

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STGWT20H60DF
STGWT20H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.43467

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.43467

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STGFW30NC60V
STGFW30NC60V
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥46.71671

279

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合计: ¥46.71671

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STGWT20IH125DF
STGWT20IH125DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1250伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.25312

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2-3 工作日

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合计: ¥3,751.87320

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STGW50NC60W
STGW50NC60W
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 285 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.75872

306

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合计: ¥49.75872

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STGFW35HF60W
STGFW35HF60W
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.97601

285

5-7 工作日

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合计: ¥49.97601

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STGW40N120KD
STGW40N120KD
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 240瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ)

¥117.90645

9000

5-7 工作日

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合计: ¥117.90645

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STGF20V60DF
STGF20V60DF
IGBT BIPO 600V 20A TO-220

¥90.02925

9000

5-7 工作日

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合计: ¥90.02925

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STGF10NC60SD
STGF10NC60SD
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 25瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥190.92187

9000

5-7 工作日

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合计: ¥190.92187

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STGF30V60DF
STGF30V60DF
IGBT BIPO 600V 30A TO-220

¥106.28232

9000

5-7 工作日

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合计: ¥106.28232

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STGW38IH130D
STGW38IH130D
集电极击穿电压: 1300伏 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥161.67601

9000

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合计: ¥161.67601

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STGW60V60DLF
STGW60V60DLF
IGBT BIPO 600V 60A TO247

¥47.75968

9000

5-7 工作日

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合计: ¥47.75968

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STGWA60NC60WDR
STGWA60NC60WDR
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥57.72591

436

5-7 工作日

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合计: ¥57.72591

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STGW35HF60WD
STGW35HF60WD
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥192.36389

9000

5-7 工作日

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合计: ¥192.36389

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STGW80H65FB-4
STGW80H65FB-4
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 469 W 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.84666

9000

5-7 工作日

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合计: ¥36.84666

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STGWA80H65DFB
STGWA80H65DFB
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 469 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1,493.42804

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,493.42804

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STGWF40V60DF
STGWF40V60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥37.32991

9000

5-7 工作日

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合计: ¥37.32991

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STGWT60V60DLF
STGWT60V60DLF
IGBT BIPO 600V 60A TO3P

¥21.00441

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.00441

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STGP20H60DF
STGP20H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.64466

18

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