品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | 4582 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.88161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥54.78530 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.78530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 67990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.63391 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥9.58960 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.58960 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥44.94944 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.94944 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET 200V DIE | ¥23.55391 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.55391 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥6.82281 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.82281 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥95.33105 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.33105 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥22.03290 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.03290 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥5.40320 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.40320 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥249.35856 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥249.35856 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥225.50045 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥225.50045 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥8.25691 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.25691 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥60.56513 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.56513 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥48.55640 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.55640 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥13.99328 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.99328 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.71230 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.71230 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥52.94560 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.94560 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥43.73263 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.73263 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH BARE DIE | ¥14.03674 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.03674 | 添加到BOM 立即询价 |