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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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BSL303SPEH6327XTSA1
BSL303SPEH6327XTSA1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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BSL305SPEH6327XTSA1
BSL305SPEH6327XTSA1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.86771

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.86771

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BSP179H6327XTSA1
BSP179H6327XTSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 210毫安(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

51000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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IPD60R650CEBTMA1
IPD60R650CEBTMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 82W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.84075

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.84075

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BSZ042N04NSGATMA1
BSZ042N04NSGATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.11445

4332

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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IPS70R600CEAKMA1
IPS70R600CEAKMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3-11 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.32214

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.32214

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BSZ105N04NSGATMA1
BSZ105N04NSGATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、35W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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IPU50R1K4CEAKMA1
IPU50R1K4CEAKMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01401

416723

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.07931

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BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 31A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.23129

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥893.91872

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IPU50R2K0CEAKMA1
IPU50R2K0CEAKMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01401

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.07931

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BS7067N06LS3G
BS7067N06LS3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.43755

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.43755

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IPU50R3K0CEAKMA1
IPU50R3K0CEAKMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 26W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.86915

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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BSZ076N06NS3GATMA1
BSZ076N06NS3GATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,390.63680

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IPU50R950CEAKMA2
IPU50R950CEAKMA2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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IPC022N03L3X1SA1
IPC022N03L3X1SA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Tj) 供应商设备包装: Sawn on foil

¥1.66587

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,148.96843

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IPC302N20NFDX1SA1
IPC302N20NFDX1SA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Tj) 供应商设备包装: Sawn on foil

¥28.46460

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,191.77397

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IPC50R045CPX1SA1
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE

¥31.97016

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.97016

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IPC60R075CPX1SA1
IPC60R075CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE

¥12.41433

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.41433

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IPC60R099C6X1SA1
IPC60R099C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE

¥22.35159

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.35159

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IPC60R099CPX1SA2
IPC60R099CPX1SA2
MOSFET N-CH BARE DIE

¥41.13967

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.13967

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