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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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SPI08N50C3HKSA1
SPI08N50C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.62250

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.62250

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IPAN60R800CEXKSA1
IPAN60R800CEXKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥66.30151

9000

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合计: ¥66.30151

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IRF6811STR1PBF
IRF6811STR1PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、74A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.21402

9000

5-7 工作日

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合计: ¥37.21402

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IRFR3418TRPBF
IRFR3418TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.88037

9000

5-7 工作日

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合计: ¥37.88037

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SPI11N60C3HKSA1
SPI11N60C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥73.50047

9000

5-7 工作日

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合计: ¥73.50047

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IRF6894MTR1PBF
IRF6894MTR1PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 160A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、54W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.99808

9000

5-7 工作日

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合计: ¥3.99808

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IRF6100PBF
IRF6100PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Ta) 最大功耗: 2.2W(Ta) 供应商设备包装: 4-FlipFet 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥75.61588

9000

5-7 工作日

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合计: ¥75.61588

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SPI11N65C3HKSA1
SPI11N65C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.57799

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.57799

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IRF7476TRPBF
IRF7476TRPBF
IRF7476 - 12V-300V N-CHANNEL POW

¥141.84495

9000

5-7 工作日

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合计: ¥141.84495

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IRF6898MTR1PBF
IRF6898MTR1PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 213A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.81859

9000

5-7 工作日

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合计: ¥45.81859

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IRF6722STRPBF
IRF6722STRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、58A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETST 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.46757

9000

5-7 工作日

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合计: ¥51.46757

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SPI12N50C3HKSA1
SPI12N50C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.59833

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.59833

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IRF8306MTR1PBF
IRF8306MTR1PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、140A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距MX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.63690

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.63690

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IRF6710S2TRPBF
IRF6710S2TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、37A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、15W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距S1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.99529

9000

5-7 工作日

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合计: ¥39.99529

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SPI15N65C3HKSA1
SPI15N65C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.71421

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.71421

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SPI20N60C3HKSA1
SPI20N60C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.7A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.39217

9000

5-7 工作日

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合计: ¥28.39217

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SPI21N50C3HKSA1
SPI21N50C3HKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.84651

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5-7 工作日

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合计: ¥17.84651

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IPC90N04S53R6ATMA1
IPC90N04S53R6ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-34 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.01899

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合计: ¥51.01899

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SPP11N60CFDHKSA1
SPP11N60CFDHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥230.51254

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合计: ¥230.51254

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AUIRF7379QTR
AUIRF7379QTR
AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND

¥19.52686

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合计: ¥19.52686

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