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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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BSZ034N04LSATMA1
BSZ034N04LSATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、52W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

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IRF7424TRPBF
IRF7424TRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.09564

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IRF7854TRPBF
IRF7854TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.96479

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IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.7A(Tc) 最大功耗: 112W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.45607

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BSC016N03MSGATMA1
BSC016N03MSGATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.96479

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IPD50P04P4L11ATMA2
IPD50P04P4L11ATMA2
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 58W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.06763

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IPB60R040C7ATMA1
IPB60R040C7ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥98.28615

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IPW60R040CFD7XKSA1
IPW60R040CFD7XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥85.68351

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合计: ¥85.68351

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IPZA60R037P7XKSA1
IPZA60R037P7XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 255W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥92.85398

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IPW60R041P6FKSA1
IPW60R041P6FKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 77.5A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.13081

15

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IMW65R072M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

¥100.74874

6

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IPW65R045C7FKSA1
IPW65R045C7FKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥132.37631

1

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IRL40B212
IRL40B212
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 231W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.85494

10

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IAUS165N08S5N029ATMA1
IAUS165N08S5N029ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 165A(Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOG-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.98321

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IPA60R180P7XKSA1
IPA60R180P7XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 26W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.74271

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IPA80R360P7XKSA1
IPA80R360P7XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.99473

20

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IRF7739L1TRPBF
IRF7739L1TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Ta), 270A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距L8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.21450

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IPB60R099P7ATMA1
IPB60R099P7ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 117W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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IPAN60R125PFD7SXKSA1
IPAN60R125PFD7SXKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.10485

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IPI024N06N3GXKSA1
IPI024N06N3GXKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.46700

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