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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSVUMC2NT1G
NSVUMC2NT1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥0.83402

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,502.06000

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NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥0.83402

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,502.06000

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MUN5235DW1T1
MUN5235DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

567000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVUMC3NT1G
NSVUMC3NT1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥1.58483

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,754.47800

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MUN5312DW1T1
MUN5312DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVUMC5NT2G
NSVUMC5NT2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,769.15075

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MUN5313DW1T1
MUN5313DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.37205

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.37205

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NSVBC114YDXV6T1G
NSVBC114YDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.65186

104000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,117.89639

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MUN5314DW1T1
MUN5314DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

273230

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVBA114YDXV6T1G
NSVBA114YDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.65186

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,117.89639

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MUN5315DW1T1
MUN5315DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

57000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVBC124EDXV6T1G
NSVBC124EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.58924

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,163.43101

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MUN5316DW1T1
MUN5316DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.65090

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.65090

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NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥3.25931

38354

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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MUN5330DW1T1
MUN5330DW1T1
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363

¥0.36215

105000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSVEMD4DXV6T5G
NSVEMD4DXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83656

96000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,692.44000

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NSVB143ZPDXV6T1G
NSVB143ZPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.65186

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,117.89639

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MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.14198

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.14198

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NSVBC114EDXV6T1G
NSVBC114EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83656

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,346.22000

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MUN5333DW1T1
MUN5333DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.54225

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.54225

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