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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

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NSBA115EDXV6T1G
NSBA115EDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.44610

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,164.03381

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EMG2DXV5T1G
EMG2DXV5T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SOT-553

¥1.75743

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.75743

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NSVMUN5334DW1T1G
NSVMUN5334DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.57886

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57886

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NSVMUN5211DW1T3G
NSVMUN5211DW1T3G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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EMG2DXV5T5
EMG2DXV5T5
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SOT-553

¥0.28972

64000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSVTB60BDW1T1G
NSVTB60BDW1T1G
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.51115

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,533.45300

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IMH20TR1
IMH20TR1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 600毫安 集电极击穿电压: 15伏 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SC-74R

¥2.85370

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.85370

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MUN5114DW1T1
MUN5114DW1T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

105000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

¥1.42939

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.42939

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MUN5116DW1T1
MUN5116DW1T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

144000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSBC113EPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

¥0.76007

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,040.28000

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EMG2DXV5T5G
EMG2DXV5T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SOT-553

¥0.41732

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41732

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MUN5133DW1T1
MUN5133DW1T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.72429

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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MUN5135DW1T1
MUN5135DW1T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.12392

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.12392

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MUN5212DW1T1
MUN5212DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

43833

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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MUN5216DW1T1
MUN5216DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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MUN5230DW1T1
MUN5230DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.84485

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.84485

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MUN5232DW1T1
MUN5232DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.12704

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.12704

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MUN5233DW1T1
MUN5233DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.67523

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.67523

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MUN5234DW1T1
MUN5234DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.38453

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.38453

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