品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NSVMUN5215DW1T1G
NSVMUN5215DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

14900

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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SMUN5213DW1T1G
SMUN5213DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

3676

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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EMC2DXV5T1
EMC2DXV5T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-553

¥0.50700

603950

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.35936

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NSVMUN5135DW1T1G
NSVMUN5135DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

3531

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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EMC5DXV5T1
EMC5DXV5T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-553

¥0.28972

131530

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBA123JDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

171949

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBA143TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

36000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC114EPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

121799

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5235DW1T1G
MUN5235DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.26581

2004

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26581

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NSBC114YDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.43457

23960

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5230DW1T1G
MUN5230DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.99102

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.99102

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NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

299710

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC124EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.97007

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.97007

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MUN5215DW1T1G
MUN5215DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.25350

2776

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25350

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MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.17287

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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NSBC124EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

211695

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5134DW1T1G
MUN5134DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.42493

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,462.78717

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MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.41574

2890

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41574

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MUN5335DW1T2G
MUN5335DW1T2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.31891

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥20,870.18100

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MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.31630

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,846.67300

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