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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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EMD5DXV6T1
EMD5DXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,284.41066

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NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.88238

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,059.04800

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SMUN5313DW1T1G
SMUN5313DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.08468

912

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.08468

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NSVMUN5111DW1T3G
NSVMUN5111DW1T3G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

5745

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NSBA124XDXV6T1G
NSBA124XDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.50577

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,046.17600

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NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSVMUN5333DW1T1G
NSVMUN5333DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.49419

5930

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.49419

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NSBA144WDXV6T1G
NSBA144WDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.50577

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,046.17600

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NSBC113EDXV6T1
NSBC113EDXV6T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

36000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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SMUN5235DW1T1G
SMUN5235DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.68518

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.68518

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NSBC143ZDXV6T5G
NSBC143ZDXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.50006

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,000.45600

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NSBC114EDXV6T1
NSBC114EDXV6T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

¥1.02696

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.02696

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MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.29261

2420

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29261

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NSBC144WDXV6T1G
NSBC144WDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

100000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC114TDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

¥0.28972

228000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5213DW1T3G
MUN5213DW1T3G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.17735

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,773.50000

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NSBC115EPDXV6T1G
NSBC115EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 357mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.50577

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,046.17600

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NSBC123JDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

128000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC123JPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.21182

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.21182

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NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

25247

5-7 工作日

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合计: ¥2.96959

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