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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSVMUN5316DW1T1G
NSVMUN5316DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.62171

0

2-3 工作日

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合计: ¥1.62171

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SMUN5131DW1T1G
SMUN5131DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85300

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,558.98800

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SMUN5231DW1T1G
SMUN5231DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85300

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,558.98800

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NSVMUN5331DW1T1G
NSVMUN5331DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85300

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,558.98800

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NSVMUN5133DW1T1G
NSVMUN5133DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85300

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,558.98800

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NSVMUN5235DW1T1G
NSVMUN5235DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85300

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,558.98800

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NSVMUN5336DW1T1G
NSVMUN5336DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85300

93000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,558.98800

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NSBA143ZDXV6T1G
NSBA143ZDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.43958

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,758.33600

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SMUN5235DW1T3G
SMUN5235DW1T3G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.62455

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥16,245.53000

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EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥3.11445

758

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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SMUN5313DW1T3G
SMUN5313DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

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合计: ¥8,530.69000

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NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

706141

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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NSVMUN5113DW1T3G
NSVMUN5113DW1T3G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.57886

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,788.60000

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NSBC144EDP6T5G
NSBC144EDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

152000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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NSVMUN5214DW1T3G
NSVMUN5214DW1T3G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,530.69000

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NSBA114YDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

432000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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NSVMUN5312DW1T3G
NSVMUN5312DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,530.69000

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NSBA115TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

128000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

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合计: ¥8,530.69000

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NSBA143ZDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

160000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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