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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSVMUN5233DW1T3G
NSVMUN5233DW1T3G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

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合计: ¥8,530.69000

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NSBC114TDP6T5G
NSBC114TDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

58833

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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SMUN5335DW1T2G
SMUN5335DW1T2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.57886

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.57886

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NSVMUN5333DW1T3G
NSVMUN5333DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,530.69000

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NSBA144WDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.48643

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,891.46400

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SMUN5211DW1T1G
SMUN5211DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.16031

488

2-3 工作日

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合计: ¥1.16031

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NSBC123TDP6T5G
NSBC123TDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.84770

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,159.07177

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MUN5213DW1T1G
MUN5213DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.39433

2750

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39433

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NSVMUN531335DW1T3G
NSVMUN531335DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,530.69000

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NSBC144WDP6T5G
NSBC144WDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.48643

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,891.46400

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MUN5213DW1T1
MUN5213DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

233800

5-7 工作日

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合计: ¥2,089.57665

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MUN5135DW1T1G
MUN5135DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.37013

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.37013

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NSVMUN5332DW1T3G
NSVMUN5332DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.85307

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,530.69000

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NSBA143EDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.48643

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,891.46400

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MUN5330DW1T1G
MUN5330DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.25350

2050

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25350

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MUN5236DW1T1
MUN5236DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.72429

35900

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSBC124EDP6T5G
NSBC124EDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

136000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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MUN5237DW1T1
MUN5237DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36215

44980

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NSBA123JDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.84770

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,159.07177

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MUN5137DW1T1
MUN5137DW1T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.43457

5975

5-7 工作日

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合计: ¥2,596.57965

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