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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥2.39016

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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NSTB60BDW1T1G
NSTB60BDW1T1G
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.31773

5446

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.31773

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MUN5133DW1T1G
MUN5133DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.97854

2340

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97854

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MUN5231DW1T1G
MUN5231DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.31247

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,812.25700

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EMA6DXV5T1G
EMA6DXV5T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SOT-553

¥0.28972

68000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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MUN5116DW1T1G
MUN5116DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.39016

3840

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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NSBC114EPDP6T5G
NSBC114EPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥2.89716

168000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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MUN5234DW1T1G
MUN5234DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.42493

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,824.40600

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EMC4DXV5T1G
EMC4DXV5T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-553

¥0.43457

296000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,330.18579

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MUN5334DW1T1G
MUN5334DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.98127

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.98127

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NSBC114YDP6T5G
NSBC114YDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥2.89716

229500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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MUN5132DW1T1G
MUN5132DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.42927

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,863.38500

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MUN5315DW1T1G
MUN5315DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.64718

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.64717

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MUN5236DW1T1G
MUN5236DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.32709

52000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,943.80100

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MUN5137DW1T1G
MUN5137DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.40657

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.40657

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MUN5316DW1T1G
MUN5316DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.39016

1675

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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NSBA123EDXV6T1G
NSBA123EDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.28643

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.28643

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NSBA123JDXV6T5G
NSBA123JDXV6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.50285

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,942.65479

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NSBA124EDXV6T1G
NSBA124EDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC144EPDXV6T5G
NSBC144EPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.29842

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,746.36554

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