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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSBA143EDXV6T1G
NSBA143EDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

45500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC123EDXV6T1G
NSBC123EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥2.83305

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.83305

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NSBC123EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.32692

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,173.66498

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NSBC124XPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.95012

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.95012

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NSBC143ZPDXV6T5G
NSBC143ZPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

76000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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UMA4NT1G
UMA4NT1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥2.47732

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.47732

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UMC2NT1G
UMC2NT1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

¥1.16307

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.16307

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NSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

283000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC114EPDXV6T5G
NSBC114EPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC123JPDXV6T5G
NSBC123JPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

88000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,117.89639

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NSBC123TPDP6T5G
NSBC123TPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

261500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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NSBC143EPDP6T5G
NSBC143EPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.50860

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,068.76800

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NSBC144WPDP6T5G
NSBC144WPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.84770

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,159.07177

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EMD4DXV6T5G
EMD4DXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.43457

288000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,330.18579

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EMC2DXV5T1G
EMC2DXV5T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-553

¥1.23143

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,925.72400

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NSTB1002DXV5T1G
NSTB1002DXV5T1G
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、200毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 500mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-553

¥0.70618

400000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,824.73200

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NSBA144EDXV6T5G
NSBA144EDXV6T5G
TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563

¥0.57943

88000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.44919

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,751.39181

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NSBC144EDXV6T5G
NSBC144EDXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.57943

292070

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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