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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥3.40416

1631000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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SMUN5311DW1T1G
SMUN5311DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.82473

8610

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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SMUN5214DW1T1G
SMUN5214DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.67124

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.67124

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SMUN5233DW1T1G
SMUN5233DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.98359

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.98359

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SMUN5216DW1T1G
SMUN5216DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NSVEMC2DXV5T1G
NSVEMC2DXV5T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(基极-集电极结) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-553

¥1.66942

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.66942

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SMUN5311DW1T3G
SMUN5311DW1T3G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

9896

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.95415

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.95415

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NSBA114EDP6T5G
NSBA114EDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 338mW 供应商设备包装: SOT-963

¥1.43307

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,341.03698

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NSBC144EPDP6T5G
NSBC144EPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.57943

1032000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,159.54306

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NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.57943

364000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,159.54306

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NSBC123JDP6T5G
NSBC123JDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.57943

240000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,159.54306

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SMUN5114DW1T1G
SMUN5114DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

2980

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NSBC143EDP6T5G
NSBC143EDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥1.40922

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥11,273.72000

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SMUN5230DW1T1G
SMUN5230DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.51703

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.51703

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NSBC124EPDP6T5G
NSBC124EPDP6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.75051

152000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,004.07200

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NSBC114TPDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.57943

102500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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NSBC143EDXV6T1G
NSBC143EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.42225

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,545.33326

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SMUN5314DW1T1G
SMUN5314DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.19619

2963

2-3 工作日

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合计: ¥1.19619

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