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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSBC123EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

88000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC144EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.88238

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,163.69361

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NSBC114EDP6T5G
NSBC114EDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥3.54902

79614

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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NSBC123EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

36000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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EMD5DXV6T5G
EMD5DXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

1520000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC114TPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

83930

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBA143TDXV6T5G
NSBA143TDXV6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

104000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC114YDXV6T5G
NSBC114YDXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

104000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC114TDXV6T5
NSBC114TDXV6T5
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

115600

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC114YPDXV6T5G
NSBC114YPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.29842

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,746.36554

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NSBA144EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 408mW 供应商设备包装: SOT-963

¥1.38546

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.38546

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NSBA143EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

44000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSBC124EDXV6T5G
NSBC124EDXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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NSBC113EPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥2.02801

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.36215

88000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,119.27254

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MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.59555

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.59555

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NSBC114YPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.82594

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.82594

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NSBC113EDXV6T5
NSBC113EDXV6T5
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.67339

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.67339

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NSBC114EDXV6T5G
NSBC114EDXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.29842

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,746.36554

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NSBA143ZDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.28972

43990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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