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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
SMUN5216DW1T1G-M02
SMUN5216DW1T1G-M02
DUAL NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSIS

¥1.85418

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.85418

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SMUN5113DW1T1G-M02
SMUN5113DW1T1G-M02
DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS

¥2.33185

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.33185

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NSVMUN5331DW1T1G
NSVMUN5331DW1T1G
NSVMUN5331 - COMPLEMENTARY BIPOL

¥0.65186

90000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,075.52542

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MUN5232DW1T1G
MUN5232DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.33526

2520

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33526

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MUN5216DW1T1G
MUN5216DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.33856

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33856

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MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.21222

450

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21222

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MUN5311DW1T2G
MUN5311DW1T2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.44402

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.44402

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MUN5312DW1T1G
MUN5312DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.22018

810

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22018

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IMD10AMT1G
IMD10AMT1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 285mW 供应商设备包装: SC-74R

¥2.75230

15113

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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MUN5332DW1T1G
MUN5332DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.39413

2970

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39413

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NSVB123JPDXV6T1G
NSVB123JPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.57943

52000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NSVB143TPDXV6T1G
NSVB143TPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 357mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.57943

20000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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SSVMUN5312DW1T2G
SSVMUN5312DW1T2G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.39576

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,779.71266

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NSVBC114YPDXV6T1G
NSVBC114YPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥2.96959

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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SMUN5237DW1T1G
SMUN5237DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥3.33173

5386

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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MUN5115DW1T1G
MUN5115DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.10044

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.60488

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,402.14756

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MUN5130DW1T1G
MUN5130DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.21729

42000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,940.59020

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MUN5131DW1T1G
MUN5131DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.21729

129000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,940.59020

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MUN5331DW1T1G
MUN5331DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.54891

2500

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,902.31521

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