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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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操作
FCH041N65EF-F155
FCH041N65EF-F155
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥75.18130

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥75.18130

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NTB23N03RG
NTB23N03RG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta) 最大功耗: 37.5W (Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01401

12350

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.07931

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NTB25P06
NTB25P06
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27.5A(Ta) 最大功耗: 120W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.39016

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥310.72041

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FQU2N50BTU-WS
FQU2N50BTU-WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.20803

20160

5-7 工作日

- +

合计: ¥16,168.44600

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NTB25P06G
NTB25P06G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27.5A(Ta) 最大功耗: 120W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.76103

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.76103

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NTB30N06G
NTB30N06G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta) 最大功耗: 88.2W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.10044

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥210.04410

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NTB30N06L
NTB30N06L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 88.2W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.42786

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.42786

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NVMFS014P04M8LT1G
NVMFS014P04M8LT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta),52.1A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 60W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.21317

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,819.75200

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NTB30N06LG
NTB30N06LG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 88.2W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.36608

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.36608

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NTTFS4824NTAG
NTTFS4824NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Ta), 69A (Tc) 最大功耗: 660mW (Ta), 46.3W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.08404

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.08404

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NTB30N06T4G
NTB30N06T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta) 最大功耗: 88.2W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.32982

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.32982

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NTB30N20
NTB30N20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),214W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥54.51007

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.51007

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FDMJ1027P
FDMJ1027P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2)

¥6.05506

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.05506

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NTB30N20G
NTB30N20G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),214W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.53223

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.53223

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NTB35N15G
NTB35N15G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta)、178W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.18256

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.18256

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NVTFS5C453NLTAG
NVTFS5C453NLTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 107A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.22577

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,838.65500

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NTB4302
NTB4302
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥55.56753

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.56753

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FDA16N50
FDA16N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Tc) 最大功耗: 205W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥139.35340

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥139.35340

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NTB4302G
NTB4302G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

1700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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FDP16N50
FDP16N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.71134

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.71134

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