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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTB45N06G
NTB45N06G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、125W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.77552

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.77552

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FDP79N15
FDP79N15
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 79A (Tc) 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.34775

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.34775

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NTB45N06LG
NTB45N06LG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、125W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.91126

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.91126

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FDU8580
FDU8580
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 49.5W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.12366

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.12366

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NTB52N10G
NTB52N10G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),178W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.37624

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.37624

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FDU8586
FDU8586
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 77W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥92.10072

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥92.10072

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NTB5605P
NTB5605P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.93726

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.93726

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FCD4N60TF
FCD4N60TF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.18208

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.18208

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NTB5605PG
NTB5605PG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.76592

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FDD8580
FDD8580
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 49.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.12711

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.12711

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NVMFS5834NLT1G
NVMFS5834NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、75A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.60744

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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NTB5605PT4
NTB5605PT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.74415

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.74415

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MMBF2202PT1G
MMBF2202PT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥890.29727

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FDD8586
FDD8586
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 77W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.85763

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.85763

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NTB60N06G
NTB60N06G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、150W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.21546

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.21546

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MTD5P06VT4G
MTD5P06VT4G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、40W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.82233

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.82233

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FDFS6N754
FDFS6N754
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.51477

9000

5-7 工作日

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合计: ¥14.51477

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FDMC8588
FDMC8588
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Ta),40A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、26W(Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.08404

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.08404

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NTB60N06L
NTB60N06L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、150W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.08452

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.08452

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MTD6N20ET4G
MTD6N20ET4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.75W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.26655

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.26655

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