品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Ta）、80A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥84.91576 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.91576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.58336 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.58336 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、48W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.17429 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥150.17429 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 40.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.82914 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.82914 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 222A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 205W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.01984 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,529.75550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.62586 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.62586 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A（Ta）、124A（Tc） 最大功耗: 1.43W（Ta），93.75W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.58912 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.58912 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.54480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.54480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、52W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.80929 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.80929 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A（Tj） 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.02237 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,022.37200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 35伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、59A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.06571 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.06571 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥95.05582 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.05582 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Tj） 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥68.47438 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.47438 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.81226 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.81226 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -25摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.12366 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.12366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88（SC-70-6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.66011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.66011 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A（Tc） 最大功耗: 153W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.05171 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.05171 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Tj） 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥130.06800 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130.06800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥54.23484 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.23484 | 添加到BOM 立即询价 |