品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.91846 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.91846 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.17287 | 45000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 | 2148704 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,199.08930 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 640mW (Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.83826 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.83826 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.25652 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.25652 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.32550 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.32550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、52W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥45.78961 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.78961 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.30573 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.30573 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.14532 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥150.14532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 640mW (Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.92085 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.92085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA | ¥24.45203 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.45203 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta), 29A (Tc) 最大功耗: 135W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥107.80332 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.80332 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、52W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.83499 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.83499 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 210毫安（Ta） 最大功耗: 310mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-723 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥98.85110 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.85110 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.71757 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.71757 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 640mW (Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.07684 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.07684 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A（Ta）、36A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.65042 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.65042 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.25451 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.25451 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.6A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥81.45365 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.45365 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥46.05036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.05036 | 添加到BOM 立即询价 |