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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FDS6298
FDS6298
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥79.41116

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.41116

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NTHS4501NT1
NTHS4501NT1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01401

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.07931

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FDP047N08-F102
FDP047N08-F102
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 164A(Tc) 最大功耗: 268W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.60505

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.79027

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RFD14N05SM
RFD14N05SM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥88.79795

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.79795

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FDU6612A
FDU6612A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.45683

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.45683

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FQB6N15TM
FQB6N15TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.54911

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.54911

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NTMFS4845NT3G
NTMFS4845NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.7A(Ta)、115A(Tc) 最大功耗: 890mW (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥168.35397

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥168.35397

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NTJS3151PT2
NTJS3151PT2
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.94743

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.94743

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FDS8670
FDS8670
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥57.66797

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥57.66797

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RFD15P05
RFD15P05
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.88085

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.88085

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FDU6688
FDU6688
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Ta) 最大功耗: 83W (Ta) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥110.15002

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥110.15002

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FQPF5N50C
FQPF5N50C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.31677

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.31677

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NTMFS4846NT3G
NTMFS4846NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 890mW (Ta), 55.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥74.35561

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.35561

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FDS8874
FDS8874
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.26324

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.26324

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NTJS3157NT2
NTJS3157NT2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.34190

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.34190

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FDU8874
FDU8874
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、116A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.80545

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.80545

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RFD15P05SM
RFD15P05SM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.44522

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.44522

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NTMFS4847NT1G
NTMFS4847NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.17287

12000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,162.00565

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FQPF5N30
FQPF5N30
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.94743

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.94743

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FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 173W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥44.48589

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.48589

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