9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4846NT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4846NT3G参考价格为10.266美元。onsemi NTMFS4846NT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN。您可以下载NTMFS4846NT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4841NT1G是MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL，包括NTMFS4841N系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerTDFN、5引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备采用5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道、金属氧化物，最大功率为870mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1436pF@12V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8.3A（Ta），57A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7 mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，Pd功耗为5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.5 ns，上升时间为66.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13.1A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.5ns，典型导通延迟时间为13.5ns，正向跨导最小值为16S，并且信道模式是增强。
NTMFS4841NHT1G是MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如12.1 ns 7.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为14.1 ns 21.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用5-DFN，8-SO扁平引线（5x6）供应商器件封装，该器件具有NTMFS4841NH系列，上升时间为23.3 ns 20.6 ns，Rds On Max Id Vgs为7 mOhm@30A，10V，Rds On Drain Source Resistance为7 m欧姆，功率最大值为870mW，Pd功耗为5.7 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，5引线，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为2113pF@12V，Id连续漏极电流为21.8 A，栅极电荷Qg Vgs为33nC@11.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为4.9 ns 2.9 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8.6A（Ta），59A（Tc），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
NTMFS4845NT1G是MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL，包括增强通道模式，它们设计用于单双漏三源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于12.2 ns，提供Id连续漏电流功能，例如35.5 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用SO-8FL封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为5.95W，Rds漏极-源极电阻为2.9mOhms，上升时间为48.5ns，系列为NTMFS4845，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为28.9ns，典型接通延迟时间为20.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为16V。
NTMFS4846NT1G是MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL，包括SO-8FL封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表注释所示，用于单四漏三源，提供Si等技术特性，封装设计用于卷筒，以及NTMFS4842系列，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，信道模式为增强型，器件的下降时间为7.1ns，器件的Pd功耗为5.9W，典型关断延迟时间为34.2ns，Id连续漏极电流为32.8A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为3.4mOhms，上升时间为18.9ns，Vgs栅极-源极电压为16V，典型的导通延迟时间为10.7ns，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
