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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FQP32N20C_F080
FQP32N20C_F080
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.47333

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.47333

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NTD4806NA-35G
NTD4806NA-35G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Ta)、79A(Tc) 供应商设备包装: I-PAK

¥19.64275

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.64275

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NTMFS4923NET3G
NTMFS4923NET3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A(Ta)、91A(Tc) 最大功耗: 930mW(Ta),48W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.43218

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.30218

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HUFA75344S3S
HUFA75344S3S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 285W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.96575

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.96575

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NTD14N03RT4
NTD14N03RT4
MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

¥16.96287

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.96287

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FQP6N60C_F080
FQP6N60C_F080
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.96287

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.96287

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NTD4806NAT4G
NTD4806NAT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Ta)、79A(Tc) 供应商设备包装: DPAK

¥1.66587

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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NTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.10044

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥630.13230

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HUF75545S3S
HUF75545S3S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 270W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.73743

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.73743

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NTD23N03RT4
NTD23N03RT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 最大功耗: 1.14W(Ta),22.3W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.72429

29908

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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FQPF3N90_NL
FQPF3N90_NL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.22650

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.22650

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NTD4808N-35G
NTD4808N-35G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、63A(Tc) 最大功耗: 1.4W(Ta),54.6W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥0.72429

7105

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NTMS5838NLR2G
NTMS5838NLR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.23129

32687

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,220.02128

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HUF75545S3
HUF75545S3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 270W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥90.33345

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥90.33345

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NTD40N03RT4
NTD40N03RT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥0.86915

6671

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FQU10N20TU_AM002
FQU10N20TU_AM002
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、51W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK

¥36.67805

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.67805

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NTD4808NT4G
NTD4808NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、63A(Tc) 最大功耗: 1.4W(Ta),54.6W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.44858

22486

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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MTD6N15T4G
MTD6N15T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.51717

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.51717

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NVD4804NT4G
NVD4804NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Ta)、124A(Tc) 最大功耗: 1.43W(Ta)、107W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.62145

12500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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HUF76445S3S
HUF76445S3S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.85955

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.85955

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