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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FQD5P10TF
FQD5P10TF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.79297

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.79297

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NTMFS4122NT1G
NTMFS4122NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

7228

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.47265

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RFD3055SM
RFD3055SM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.26420

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.26420

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NTMFS4744NT1G
NTMFS4744NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 880mW (Ta), 47.2W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.10044

153685

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.55467

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FQU4P25TU
FQU4P25TU
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.27484

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.27484

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NTMFS4836NT1G
NTMFS4836NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、90A(Tc) 最大功耗: 890mW (Ta), 55.6W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.60744

115775

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,151.14130

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FQPF13N10
FQPF13N10
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥84.64053

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥84.64053

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NTMFS4837NT1G
NTMFS4837NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、74A(Tc) 最大功耗: 880mW (Ta), 47.2W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.10044

219215

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.55467

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HUF75307D3
HUF75307D3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.45548

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.45548

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FQU3N40TU
FQU3N40TU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.96911

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.96911

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NTMS4107NR2G
NTMS4107NR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 930毫瓦(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,035.68947

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FDD45AN06LA0
FDD45AN06LA0
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta), 25A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥116.62518

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥116.62518

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FQD4P25TM
FQD4P25TM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥71.38602

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.38602

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NTMS4503NR2G
NTMS4503NR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 28伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 930毫瓦(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.89716

130841

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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5X49_BG7002B
5X49_BG7002B
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安(Tj) 供应商设备包装: SOT-23-3

¥23.43802

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.43802

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NTMS4705NR2G
NTMS4705NR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta) 最大功耗: 850mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

13947

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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FQP5P10
FQP5P10
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.25062

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.25062

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BS170_J35Z
BS170_J35Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 830mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.02465

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.02465

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FQP4P25
FQP4P25
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.07789

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.07789

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NTMS5P02R2SG
NTMS5P02R2SG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.95A (Ta) 最大功耗: 790mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

7125

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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