9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4836NT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4836NT1G参考价格为0.36000美元。onsemi NTMFS4836NT1G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN。您可以下载NTMFS4836NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4834NT1G是MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL，包括NTMFS483N系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8FL等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.31 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns 23 ns，上升时间为23 ns 34 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns 22ns，典型接通延迟时间为11ns 20ns，正向跨导最小值为35.2S，沟道模式为增强型。
NTMFS4835NT1G是MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns 16 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如30 ns 22 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为NTMFS4835N，器件的上升时间为23 ns 31 ns，器件的漏极电阻为3.5 mOhms，Pd功耗为62.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8FL，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为20 A，正向跨导最小值为21 S，下降时间为10 ns 13 ns，配置为单一，信道模式为增强。
NTMFS4835N，带有ON制造的电路图。NTMFS483N采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
