品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.63450 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.63450 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥14.39889 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.39889 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥147.10330 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥147.10330 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 780mW (Ta) 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 | 14108 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.13238 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.13238 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 780mW (Ta) 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 19960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥93.96939 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥93.96939 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.53166 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.53166 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 530 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.44684 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.44684 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥82.58355 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥82.58355 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.08020 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.08020 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Tc) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) | ¥55.01707 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.01707 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH DO-35 | ¥77.73080 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.73080 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥131.93667 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.93667 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 33.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.22793 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.22793 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.48964 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.48964 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.97985 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.97985 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 115W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥44.10926 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.10926 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.98849 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.98849 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.33902 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.33902 | 添加到BOM 立即询价 |