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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
2SK3708
2SK3708
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),30W(Tc) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥14.89140

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.89140

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FQD2N80TF
FQD2N80TF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥95.83805

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥95.83805

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2SK4085LS
2SK4085LS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),40W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FI(LS) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥22.52542

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.52542

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FQPF4P40
FQPF4P40
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.66443

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.66443

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2SK4171
2SK4171
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 1.75W(Ta),75W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.59914

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.59914

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FDG315N
FDG315N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.25739

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.25739

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FQI2N80TU
FQI2N80TU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、85W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.36071

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.36071

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FDG327N
FDG327N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.69358

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.69358

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2SJ656
2SJ656
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),30W(Tc) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥16.05027

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.05027

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FQB5N50TM
FQB5N50TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、85W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.31158

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.31158

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2SK4124
2SK4124
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、170W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PB 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.80881

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.80881

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NDB6020P
NDB6020P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥89.24701

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥89.24701

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FQPF3N80
FQPF3N80
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥58.62403

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.62403

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2SK4125
2SK4125
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、170W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PB 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥33.60706

497

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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FDMA8884
FDMA8884
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 8A (Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

471732

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.34179

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FQB16N25CTM
FQB16N25CTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.6A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、139W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.87740

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.87740

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ATP102-TL-H
ATP102-TL-H
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.08596

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.08595

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FDFMA2P853T
FDFMA2P853T
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 7-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥46.32559

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.32559

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HUF75329D3
HUF75329D3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 128W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.71421

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.71421

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ATP106-TL-H
ATP106-TL-H
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.04202

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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