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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT46V32M16BN-5B:F
MT46V32M16BN-5B:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥58.08806

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合计: ¥58.08806

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MT46V32M16FN-5B:F
MT46V32M16FN-5B:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥140.62815

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MT48H4M16LFB4-8
MT48H4M16LFB4-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥13.05171

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合计: ¥13.05171

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MT48H4M16LFF4-10
MT48H4M16LFF4-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥28.95711

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MT46V32M16FN-6:F
MT46V32M16FN-6:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥13.68908

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MT48LC8M32LFB5-10
MT48LC8M32LFB5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥19.07780

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合计: ¥19.07780

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MT46V32M16P-5B:F
MT46V32M16P-5B:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥128.46007

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MT48H4M16LFF4-8
MT48H4M16LFF4-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥39.77801

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M28W320CB90N6
M28W320CB90N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥72.38554

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MT48H8M16LFB4-10
MT48H8M16LFB4-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥74.08038

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MT48LC8M32LFF5-10
MT48LC8M32LFF5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥13.71805

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MT48H8M16LFF4-10
MT48H8M16LFF4-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥22.10533

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MT46V32M16P-6T:F
MT46V32M16P-6T:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥12.73302

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M29DW323DB70N6
M29DW323DB70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥56.37873

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MT48H8M16LFF4-8
MT48H8M16LFF4-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥98.17027

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MT46V32M16TG-5B:F
MT46V32M16TG-5B:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥135.61606

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M29F016D70N6
M29F016D70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP

¥22.64131

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MT48H8M32LFB5-10
MT48H8M32LFB5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥47.58585

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MT48LC8M32LFF5-8
MT48LC8M32LFF5-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥56.10350

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合计: ¥56.10350

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M29F040B90K6
M29F040B90K6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥56.88574

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