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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT46V32M8P-5B:GTR
MT46V32M8P-5B:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥47.77417

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5-7 工作日

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合计: ¥47.77417

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MT46V32M8P-6TL:GTR
MT46V32M8P-6TL:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥64.46181

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合计: ¥64.46181

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MT46V32M8P-6T:GTR
MT46V32M8P-6T:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥43.84852

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5-7 工作日

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合计: ¥43.84852

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MT46V64M4BG-5B:GTR
MT46V64M4BG-5B:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥9.05363

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合计: ¥9.05363

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MT46V64M4BG-6:GTR
MT46V64M4BG-6:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥63.80995

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合计: ¥63.80995

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MT46V64M4P-6T:GTR
MT46V64M4P-6T:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥7.18496

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合计: ¥7.18496

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MT46V8M16P-6TIT:DTR
MT46V8M16P-6TIT:DTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥125.99749

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合计: ¥125.99749

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MT48LC16M8A2P-75IT:GTR
MT48LC16M8A2P-75IT:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥37.18505

0

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合计: ¥37.18505

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MT48LC16M8A2P-75:GTR
MT48LC16M8A2P-75:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥23.90157

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合计: ¥23.90157

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MTFC16GAKAEEF-AAT
MTFC16GAKAEEF-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 供应商设备包装: 169-TFBGA (14x18)

¥171.54809

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合计: ¥168,117.12526

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MTFC16GAKAEDQ-AAT
MTFC16GAKAEDQ-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥171.54809

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合计: ¥168,117.12526

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MT46V32M16FN-75:C
MT46V32M16FN-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥38.99577

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合计: ¥38.99577

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MT46V32M16P-5B:C
MT46V32M16P-5B:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥24.97352

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5-7 工作日

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合计: ¥24.97352

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MT46V32M16P-6T:C
MT46V32M16P-6T:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥260.39674

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合计: ¥260.39674

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MT46V32M16P-75:C
MT46V32M16P-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥566.14852

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合计: ¥566.14852

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MT46V32M16TG-5B:C
MT46V32M16TG-5B:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥15.57224

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合计: ¥15.57224

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MT46V32M16TG-6T:C
MT46V32M16TG-6T:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥71.48742

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合计: ¥71.48742

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M28W160CB90N6
M28W160CB90N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥24.17680

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合计: ¥24.17680

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M28W160ECB70ZB6E
M28W160ECB70ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 46-TFBGA (6.39x6.37)

¥65.18610

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合计: ¥1,825.21080

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M28W160ECT70ZB6E
M28W160ECT70ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 46-TFBGA (6.39x6.37)

¥37.56168

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2-3 工作日

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