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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥55.16193

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5-7 工作日

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合计: ¥55.16193

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MT46V32M16TG-75E:C
MT46V32M16TG-75E:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥13.54422

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合计: ¥13.54422

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MT46V32M16TG-75Z:C
MT46V32M16TG-75Z:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥42.38545

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合计: ¥42.38545

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MT48V8M32LFF5-8
MT48V8M32LFF5-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥3.82425

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合计: ¥3.82425

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M28W640FCB70ZB6E
M28W640FCB70ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6.39x10.5)

¥56.97265

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合计: ¥56.97265

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MT46V32M16TG-75:C
MT46V32M16TG-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥73.02292

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合计: ¥73.02292

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M28W640FCT70N6E
M28W640FCT70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥53.94512

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合计: ¥53.94512

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MT46V32M4TG-75:D
MT46V32M4TG-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥25.11838

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5-7 工作日

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合计: ¥25.11838

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M28W640FCT70ZB6E
M28W640FCT70ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6.39x10.5)

¥5.83778

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5-7 工作日

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合计: ¥5.83778

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M28W640FST70ZA6E
M28W640FST70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥19.36752

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合计: ¥19.36752

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MT46V32M8BG-75:G
MT46V32M8BG-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥15.55775

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合计: ¥15.55775

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M29DW128F60ZA6E
M29DW128F60ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥14.23954

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合计: ¥14.23954

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M29DW128F70NF6E
M29DW128F70NF6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥8.95222

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5-7 工作日

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合计: ¥8.95222

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M29DW323DB70N6E
M29DW323DB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥18.71565

9000

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合计: ¥18.71565

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MT46V32M8FG-75E:G
MT46V32M8FG-75E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥48.22323

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合计: ¥48.22323

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M29DW323DB70ZE6E
M29DW323DB70ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥58.59506

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合计: ¥58.59506

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MT46V32M8FG-75:G
MT46V32M8FG-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥57.61003

0

5-7 工作日

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合计: ¥57.61003

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M45PE20-VMN6P
M45PE20-VMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥16.93390

9000

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合计: ¥16.93390

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M45PE20-VMP6G
M45PE20-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥101.57443

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合计: ¥101.57443

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M29DW323DT70ZE6E
M29DW323DT70ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥24.56792

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合计: ¥24.56792

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