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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M29F400BB70N1
M29F400BB70N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥13.48628

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合计: ¥13.48628

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MT46V64M8TG-75Z:D
MT46V64M8TG-75Z:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥17.70165

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合计: ¥17.70165

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MT46V64M8TG-75:D
MT46V64M8TG-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥139.48377

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合计: ¥139.48377

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M29F400BB70N6
M29F400BB70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥58.45020

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合计: ¥58.45020

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M29F400BB70N6E
M29F400BB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥119.94242

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MT44K32M36RB-107E:A
MT44K32M36RB-107E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(32Mb x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥466.84112

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合计: ¥555,540.93280

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MT44K64M18RB-107E:A
MT44K64M18RB-107E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(64Mb x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥466.84112

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合计: ¥555,540.93280

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M50LPW116N5G
M50LPW116N5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

¥40.31398

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合计: ¥40.31398

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MT46V8M16P-75:D
MT46V8M16P-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥21.17824

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合计: ¥21.17824

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RC28F160C3BD70A
RC28F160C3BD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥448.66868

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合计: ¥448.66868

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M29F400BB90M1
M29F400BB90M1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥52.51103

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合计: ¥52.51103

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MT46V8M16TG-75:D
MT46V8M16TG-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥553.45896

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合计: ¥553.45896

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M29F400BB90N1
M29F400BB90N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥43.86300

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合计: ¥43.86300

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M29F400BB90N6
M29F400BB90N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥52.11991

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M29F400BT55N1
M29F400BT55N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥67.70663

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M29F400BT55N6E
M29F400BT55N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥51.04796

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合计: ¥51.04796

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RC28F160C3TD70A
RC28F160C3TD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥242.92687

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M29F400BT70M1
M29F400BT70M1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥98.69176

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TE28F160C3BD70A
TE28F160C3BD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥59.40627

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M58WR064EB70ZB6
M58WR064EB70ZB6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

¥35.93927

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