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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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MT47H128M4CB-37E:B
MT47H128M4CB-37E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥49.83115

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5-7 工作日

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合计: ¥49.83115

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TE28F160C3TD70A
TE28F160C3TD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥73.08086

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5-7 工作日

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合计: ¥73.08086

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RC28F320C3BD70A
RC28F320C3BD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥74.29767

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合计: ¥74.29767

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MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥107.99164

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合计: ¥120,950.63568

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RC28F320C3TD70A
RC28F320C3TD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥14.03674

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合计: ¥14.03674

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M29F400BT70M6E
M29F400BT70M6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥35.54815

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5-7 工作日

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合计: ¥35.54815

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RC28F256K3C120
RC28F256K3C120
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥148.65328

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5-7 工作日

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合计: ¥148.65328

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MTFC256GAOAMAM-WT
MTFC256GAOAMAM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8)

¥514.53562

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5-7 工作日

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合计: ¥782,094.13632

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MT53D512M16D1Z11MWC2
MT53D512M16D1Z11MWC2
LPDDR4 8G DIE 512MX16

¥108.35378

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5-7 工作日

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合计: ¥108.35378

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M29F400BT70N1
M29F400BT70N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥31.76736

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5-7 工作日

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合计: ¥31.76736

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M29F400BT70N6E
M29F400BT70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥90.95634

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5-7 工作日

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合计: ¥90.95634

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M29F400BT90N1
M29F400BT90N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥29.40617

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5-7 工作日

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合计: ¥29.40617

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GE28F160C3TD70A
GE28F160C3TD70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 46-VFBGA

¥15.15215

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5-7 工作日

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合计: ¥15.15215

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M29F800AB70M1
M29F800AB70M1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥25.11838

0

5-7 工作日

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合计: ¥25.11838

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M29F800DB55N1
M29F800DB55N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥123.46247

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5-7 工作日

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合计: ¥123.46247

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MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F
MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥30.01327

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥37,816.72524

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MT28HL04GABB1EPG-0GCT
MT28HL04GABB1EPG-0GCT
NOR FLASH 256MX16 PLASTIC 3.3V

¥108.64350

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合计: ¥104,297.76000

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M29F800DB55N6
M29F800DB55N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥181.91268

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合计: ¥181.91268

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M29F800DB55N6E
M29F800DB55N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥20.04835

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合计: ¥20.04835

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M29F800DB70M1
M29F800DB70M1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥100.95154

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合计: ¥100.95154

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