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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M45PE40-VMP6G
M45PE40-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥52.71383

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5-7 工作日

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合计: ¥52.71383

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M45PE80-VMP6
M45PE80-VMP6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥70.61828

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5-7 工作日

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合计: ¥70.61828

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M29DW640F70N6E
M29DW640F70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥255.37017

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合计: ¥255.37017

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M45PE80-VMP6G
M45PE80-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥13.12414

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合计: ¥13.12414

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M29DW640F70ZE6E
M29DW640F70ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥25.20529

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合计: ¥25.20529

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M45PE80-VMW6G
M45PE80-VMW6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥30.98513

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合计: ¥30.98513

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MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥110.05587

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合计: ¥123,262.56992

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M29DW641F60ZE6E
M29DW641F60ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥40.18361

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合计: ¥40.18361

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MT46V32M8TG-75Z:G
MT46V32M8TG-75Z:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥33.52014

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合计: ¥33.52014

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M29DW641F70N6E
M29DW641F70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥44.58729

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合计: ¥44.58729

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M50FLW040AK5G
M50FLW040AK5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥24.74175

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合计: ¥24.74175

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MT46V32M8TG-75:G
MT46V32M8TG-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥18.96191

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合计: ¥18.96191

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M29F002BB70K6E
M29F002BB70K6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥33.66500

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合计: ¥33.66500

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M29F002BT70K6E
M29F002BT70K6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥27.43611

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合计: ¥27.43611

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M50FLW040ANB5G
M50FLW040ANB5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-TSOP

¥44.31206

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合计: ¥44.31206

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MT46V64M16TG-6T:A
MT46V64M16TG-6T:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥153.60742

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合计: ¥153.60742

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MTFC8GACAENS-K1 AIT
MTFC8GACAENS-K1 AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥105.16691

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合计: ¥159,853.70016

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M50FLW040BK5G
M50FLW040BK5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥112.30841

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合计: ¥112.30841

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M29F010B45K6E
M29F010B45K6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥17.13670

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合计: ¥17.13670

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MT46V64M16TG-75:A
MT46V64M16TG-75:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥27.39265

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合计: ¥27.39265

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