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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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M29F040B70N6E
M29F040B70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥135.94923

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合计: ¥135.94923

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M50FLW080BN5G
M50FLW080BN5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

¥41.70462

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合计: ¥41.70462

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M29F040B90K1
M29F040B90K1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥22.38056

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合计: ¥22.38056

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M29F040B90N1
M29F040B90N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥89.63813

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M50FLW080BNB5G
M50FLW080BNB5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-TSOP

¥34.75143

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MT47H256M4B7-5E:A
MT47H256M4B7-5E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥41.79153

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MT46V64M8BN-75:D
MT46V64M8BN-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥41.06724

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M50FW016N5G
M50FW016N5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

¥35.08461

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MT47H256M4B7-37E:A
MT47H256M4B7-37E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥17.54230

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合计: ¥17.54230

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M29F080D70N6
M29F080D70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP

¥180.75381

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合计: ¥180.75381

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M50FW040K5G
M50FW040K5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥46.55736

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合计: ¥46.55736

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M29F080D70N6E
M29F080D70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP

¥90.81148

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合计: ¥90.81148

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M50FW040N1
M50FW040N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

¥93.25958

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合计: ¥93.25958

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MT47H128M8B7-5E:A
MT47H128M8B7-5E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥164.10963

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MT46V64M8FN-75:D
MT46V64M8FN-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥50.16433

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MT46V64M8P-5B:D
MT46V64M8P-5B:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥23.77120

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合计: ¥23.77120

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M29F200BB70M6E
M29F200BB70M6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥79.30976

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M29F200BB70N6
M29F200BB70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥117.62470

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合计: ¥117.62470

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MT47H128M8B7-37E:A
MT47H128M8B7-37E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥14.39889

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合计: ¥14.39889

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MT46V64M8P-6T:D
MT46V64M8P-6T:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥10.53118

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