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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT47H16M16BG-37V:B
MT47H16M16BG-37V:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x14)

¥143.78605

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合计: ¥143.78605

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MT48V8M16LFF4-8:G
MT48V8M16LFF4-8:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥66.30151

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合计: ¥66.30151

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MT46V16M8P-6T:D
MT46V16M8P-6T:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥100.86463

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合计: ¥100.86463

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MT46V16M8P-75:D
MT46V16M8P-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥56.36425

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合计: ¥56.36425

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MT48V8M32LFB5-10
MT48V8M32LFB5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥30.15944

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MT46V16M8TG-75:D
MT46V16M8TG-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥62.30343

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MT47H32M16CC-3E:B
MT47H32M16CC-3E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (12x12.5)

¥60.65205

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MT48V8M32LFF5-10
MT48V8M32LFF5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥78.99107

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合计: ¥78.99107

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MT46V256M4TG-6T:A
MT46V256M4TG-6T:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥75.81868

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合计: ¥75.81868

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MT46V256M4TG-75:A
MT46V256M4TG-75:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥21.49693

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合计: ¥21.49693

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MT47H64M8CB-25:B
MT47H64M8CB-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥21.84459

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合计: ¥21.84459

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MT46V32M16BN-5B:C
MT46V32M16BN-5B:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥15.42738

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MT46V32M16BN-6:C
MT46V32M16BN-6:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥11.61761

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MT46V32M16BN-75:C
MT46V32M16BN-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥114.72754

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合计: ¥114.72754

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MT46V32M16FN-5B:C
MT46V32M16FN-5B:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥45.05084

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合计: ¥45.05084

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MT46V16M8P-6TL:DTR
MT46V16M8P-6TL:DTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥61.78194

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合计: ¥61.78194

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MT46V16M8P-6T:DTR
MT46V16M8P-6T:DTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥41.31350

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MT46V32M16FN-6:C
MT46V32M16FN-6:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥70.56033

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合计: ¥70.56033

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MT46V32M8BG-5B:GTR
MT46V32M8BG-5B:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥21.01890

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合计: ¥21.01890

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MT46V32M8BG-6:GTR
MT46V32M8BG-6:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

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