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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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MT48V4M32LFF5-10:G
MT48V4M32LFF5-10:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥10.76295

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5-7 工作日

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合计: ¥10.76295

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MT48LC16M4A2P-75:G
MT48LC16M4A2P-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥78.15089

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合计: ¥78.15089

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MT46V64M8P-5B:F
MT46V64M8P-5B:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥96.40300

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5-7 工作日

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合计: ¥96.40300

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MT48V4M32LFF5-8:G
MT48V4M32LFF5-8:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥98.72073

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合计: ¥98.72073

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MT46V64M8P-6T:F
MT46V64M8P-6T:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥67.88046

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合计: ¥67.88046

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MT48V8M16LFB4-10:G
MT48V8M16LFB4-10:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥18.32454

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合计: ¥18.32454

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MT46V16M16BG-6:F
MT46V16M16BG-6:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥13.52974

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合计: ¥13.52974

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MT46V16M16FG-75:F
MT46V16M16FG-75:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥504.35210

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合计: ¥504.35210

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MT48LC16M4A2TG-7E:G
MT48LC16M4A2TG-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥51.43908

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合计: ¥51.43908

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MT46V16M16P-6T:F
MT46V16M16P-6T:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥45.67373

0

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合计: ¥45.67373

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MT48LC16M8A2BB-75:G
MT48LC16M8A2BB-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x16)

¥36.08413

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合计: ¥36.08413

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MT48LC16M8A2FB-7E:G
MT48LC16M8A2FB-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x16)

¥19.52686

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合计: ¥19.52686

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MT46V16M16P-75:F
MT46V16M16P-75:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥59.71047

0

5-7 工作日

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合计: ¥59.71047

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MT29F8T08GULBEM4:B
MT29F8T08GULBEM4:B
QLC 8T 1TX8 LBGA 8DP

¥1,619.44001

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合计: ¥1,813,772.81232

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MT46V16M16TG-5G:F
MT46V16M16TG-5G:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥58.50815

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合计: ¥58.50815

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MT48V8M16LFB4-8:G
MT48V8M16LFB4-8:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥40.35744

0

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合计: ¥40.35744

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MT48V8M16LFF4-10:G
MT48V8M16LFF4-10:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥26.98705

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合计: ¥26.98705

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MT46V16M16TG-75:F
MT46V16M16TG-75:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥45.91999

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合计: ¥45.91999

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MT48LC16M8A2P-75:G
MT48LC16M8A2P-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥35.64955

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合计: ¥35.64955

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MT48LC16M8A2P-7E:G
MT48LC16M8A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥28.92814

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合计: ¥28.92814

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