美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥10.76295 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.76295 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥78.15089 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.15089 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥96.40300 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.40300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥98.72073 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.72073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥67.88046 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.88046 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8) | ¥18.32454 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.32454 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14) | ¥13.52974 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.52974 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14) | ¥504.35210 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥504.35210 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥51.43908 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.43908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥45.67373 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.67373 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x16) | ¥36.08413 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.08413 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x16) | ¥19.52686 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.52686 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥59.71047 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.71047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QLC 8T 1TX8 LBGA 8DP | ¥1,619.44001 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,813,772.81232 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥58.50815 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.50815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8) | ¥40.35744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.35744 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8) | ¥26.98705 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.98705 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥45.91999 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.91999 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥35.64955 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.64955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥28.92814 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.92814 | 添加到BOM 立即询价 |